NXTR-1A/1B薄膜方块电阻测试仪_方阻仪简介：
薄膜方块电阻测试仪GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。
薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。由电气测量部份（简称：主机）、测试架、四探针头及测量软件组成。仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研，是检验和分析导体材料和半导体材料的一种重要的工具。本仪器配置测量装置可以测试不同材料。液晶显示，人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，人工多次和重复设置。采用AD芯片控制，恒流输出，结构合理、轻便，运输安、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。
方阻仪使用范围：
适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业
薄膜方块电阻测试仪适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
方阻仪特点：
可测方块电阻：适合检测硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等圆柱晶体硅
适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业
适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
测试量程大，电阻率测试仪
主机配置了“小游移四探针头”了一起数据的准确性
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度提高
测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
特的设计能消除测量引线和接触电阻产生的误差，测量的和宽的量程范围
双数字表结构使测量，操作简便
具有的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、大值、小值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性提高
采用进口元器件，留有大的安系数，提高了测试仪的性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响
具有正测反测的功能，测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
方阻仪测量范围：
10-5 ------1.9*105Ω?cm
10-4------1.9*104Ω?cm
可测硅棒尺寸： 大长度300mm；直径20mm（按用户要求改）
输出电流：DC0.001-100mA  五档连续可调   测量范围：0-199.99mV
灵  敏  度： 10μA
输入阻抗：1000ΩM
电阻测量误差：档均低于±0.05%
供电电源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推荐使用环境：温度：23±2℃   相对温度：≤65%