测单晶高频光电导寿命测试仪功能简介：
τ:1～6000μs   ρ＞0.1Ω·cm太阳能硅片寿命 配已知寿命样片、配数字示波器
为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。
数字式硅晶体少子寿命测试仪是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累丰富的使经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟的测试方法，适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。
KDKLT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪主要特点：
1.数字式硅晶体少子寿命测试仪可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。
2.可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面抛光、钝化。
3.配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。
4.配置两种波长的红外光源：
    a.红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
    b.短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。
5.测量范围宽广测试仪可直接测量：
    a.研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω?㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
    b.抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω?㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围：0.25μS-10ms