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新闻中心

测量准确、操作简单的MOS管测试仪概述

发布时间:2019-11-14浏览次数:1499返回列表

场效应管测试仪 MOS管测试仪 型号:HAD-9610A

一、HAD-9610A场效应管测试仪 MOS管测试仪概述
  HAD-9610A型功率场效应管测试仪,是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置,可用于标称 电流约在2-8,功率在300W以内的N沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅开启电压VGS(th)和放大特性参数跨导Gfs,尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A,由于采 用脉冲电流测试法,即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏,也可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试(配对);仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量;仪器还是一台性 能十分优越的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。

二、HAD-9610A场效应管测试仪 MOS管测试仪主要技术性能   
1、击穿电压VDSS测量范围: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。  
2、IDSS可分三挡选择: 1mA、250uA、25uA 。
3、栅开启电压VGS(th) 测量范围: 0—10V。 精度:≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流Idm:不小于1—50 A连续可调, 精度:≤10 % 。  
5、Gfs跨导测试范围:1—100 。

、HAD-9610A场效应管测试仪 MOS管测试仪主要测试功能  
1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。  
2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试,可用于配对。
4、对其它较大电流和功率的场效应管及IGBT的测试:(见下面介绍)。
5、各类晶体三管、二管、稳压管击穿电压的测试。
6、压敏电阻电压的测试等。
四、测试盒与测试线
1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。
2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。