YZ2-2.6FA 消防移动式照明装置YZ2-2.6FA

消防移动式照明装置YZ2-2.6FA灯头连线和气泵直接与发电机上插板连接，气泵开关控制伸缩气缸的升起，气缸的排气阀控制气缸的降落；通过无线遥控可在30米范围内分别控制每盏卤素灯灯头的开启和关闭；

武汉宗普照明有限公司是一家工业照明科技型企业。主要生产经营产品有固定专业照明、固定防爆照明、移动专业照明、移动防爆照明、防爆电器、开关元器件等各种工业照明电器类产品。公司位于中国物流中心武汉市。
公司致力于为煤炭行业、中石油、中石化、电力、冶金、铁路、船舶、场馆、消防及大型化工企业等目标市场和专业客户，提供“品质可靠、节能环保”的产品和专业化照明方案。
武汉宗普照明有限公司的产品和服务，始终贯穿“科技、节能、环保、人文”的设计理念和“诚信为本、共同发展”的经营理念，凭借我们的不断努力创新和客户至上的服务，“以市场为中心，以科技为先导，以质量为主线，以信誉为生命”的企业宗旨，立足于本行业，不断向经营国际化、管理现代化、队伍职业化、产业规模化、股份社会化推进。我们以创新的技术、卓越的品质、节能环保的绿色照明产品和追求优质的服务以赢得客户的美誉。
没有zui好，只有更好。服务客户，打造工业照明的一面旗帜，是我们宗普照明人坚定不移的信念。
企业文化：以科技立足于工业照明，以优良的产品服务客户，以节能环保的产品回报社会。以诚信为基础，与客户一道发展壮大，合作双赢。
企业目标：照明大众、普及光明，是我们坚定不移的追求。

消防移动式照明装置YZ2-2.6FA

2 性能特点:

n 方位调节方便：蜗轮蜗杆机构调节灯具照射方向，调节简单方便可靠；

n 运输方便：发电机组底部装有万向轮和铁轨轮（选配件），既可在地面上滚动推行，也可在铁轨推行，还方便人力搬运；

n 照明：灯盘上可安装4个卤素灯灯头，可将每个灯头单独做上下、左右大角度调节旋转实现360°照明，也可以实现同一方向照明

YZ2-2.6FA型消防移动式照明装置大范围照明：采用4节伸缩气缸作为升降调节方式，zui大升起高度为4.2米，通过调节光束照射角度消防移动式照明装置YZ2-2.6FA，灯光覆盖半径可达到30~100米；

n 快速升降：启动电动气泵开关或按下气缸排气阀，可快速控制伸缩气缸的升降；

n 控制方式：灯头连线和气泵直接与发电机上插板连接，气泵开关控制伸缩气缸的升起，气缸的排气阀控制气缸的降落；通过无线遥控可在30米范围内分别控制每盏卤素灯灯头的开启和关闭；

n 智能化气泵：具有过热及过载自动反馈控制功能.

n 模块化设计：灯具灯盘、气缸和发电机组为组件机构，方便搬运和安装；

YZ2-2.6FA型消防移动式照明装置抗风防淋：特别制作防雨布，确保在各种恶劣环境和气候条件下正常工作，防雨淋、防喷水，抗风等级为8级；

1 适用场所：

        适用于各种大型施工作业、事故抢修、抢险救灾等室内外现场做移动照明。

 硅晶柱的长成，先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍：

  长晶主要程式：

  1、融化(MELtDown)

  此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，影响整体的产能。

  2、颈部成长(Neck Growth)

  当硅融浆的温度稳定之后，将方向的晶种渐渐注入液中，消防移动式照明装置YZ2-2.6FA接着将晶种往上拉升，并使直径缩小到一定(约6mm)，维持此直径并拉长10-20cm，以消除晶种内的排差(dislocation)，此种零排差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。

  3、晶冠成长(Crown Growth)

  长完颈部后，慢慢地降低拉速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。

  4、晶体成长(Body Growth)

  利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径，所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度，于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加，此辐射热源将致使固业介面的温度梯度逐渐变小，所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低，以避免晶棒扭曲的现象产生。

  5、尾部成长(Tail Growth)

  当晶体成长到固定(需要)的长度后，晶棒的直径必须逐渐地缩小，直到与液面分开，此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。

  切割：

  晶棒长成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片， 圆片，是半导体元件“芯片或“芯片的基材，从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。

  磊晶：

  砷化?磊晶依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二体，而MBE的技术层次较高，容易成长薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。

  其过程先是将GaAs衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简MOCVD，又称外延炉)，再通入III、II族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸气与非金属(V或VI族元素)的氢化物(或烷基物)气体，在高温下，发生热解反应，生成III-V或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米(1毫米=1000微米)的化合物半导体外延层。长有外延层的GaAs片也就是常称的外延片。外延片经芯片加工后，通电就能发出?色很纯的单色光，如红色、黄色等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的?色和亮度。其实，在几微米厚的外延层中，真正发光的也仅是其中的几百纳米(1微米=1000纳米)厚的量子阱结构。

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