进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图
- 产品/服务：进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图
- 型 号：NBN4-12GM50-E2-V1
- 单 价：面议
- 更新日期：2021-12-10
- 有效期至：长期有效
- 浏览次数：1512
产品简介
进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图基于这种传感器的设计特征，受金属特性的影响相对较小，圈轴向的目标物位置的变化也对传感器的灵敏度影响不大。，它们可以预防静电并且可以安装在有潜在爆炸风险的环境中。BT65X 和 BT115X 定位感应盘的外表是用不锈钢做成的，并带有小缺口，...
产品详细介绍
进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图
上海乾拓贸易有限公司简介
日本SMC；日本CKD喜开理；日本KOGANEI小金井；日本YUKEN油研；日本NACHI不二越；日本OMRON欧姆龙；日本SUNX神视/松下PANASONIC；日本KEYENCE基恩士；日本MITSUBISHI三菱/mitsubishi；日本azbil山武(YAMATAKE)； 日本TAIYO太阳铁工；日本KURODA黑田精工；日本TOYOOKI丰兴；日本DAIKIN大金；日本FANUC法那科；日本OPTEX奥普士；日本CONVUM妙德；日本TAKEX竹中；日本KOYO光洋；日本IDEC和泉；日本东京计器/TOKIMEC/东机美；日本ORIENTALMOTOR东方马达/Orientalmotor；日本HIROSE广濑；日本THK；日本NSK；
NBB20+U+B3 传感器
NBB20+U9A+B3 AS-I 传感器
NBB20-L2-A0-Q2 传感器
NBB20-L2-A0-V1 传感器
NBB20-L2-A2-C-V1 传感器
NBB20-L2-A2-Q2 传感器
NBB20-L2-A2-V1 传感器
NBB20-L2-B3-V1 AS-I 传感器
NBB20-L2-E0-Q2 传感器
NBB20-L2-E0-V1 传感器
NBB20-L2-E2-Q2 传感器
NBB20-L2-E2-V1 传感器
NBB2-12GK50-E0 传感器
NBB2-12GK50-E2 传感器
NBB2-12GM40-E0 传感器
NBB2-12GM40-E2 传感器
NBB15-30GM50-E0 传感器
NBB15-30GM50-E0-V1 传感器
NBB15-30GM50-E2 传感器
NBB15-30GM50-E2-V1 传感器
NBB15-L2-A2-C-V1 传感器
NBB20+U1A+B3 AS-I 传感器
NBB20+U1A+B3-V1 AS-I 传感器
进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图实验步骤：
1．了解霍尔传感器的结构和在实验仪上的位置，熟悉实验面板上霍尔片的符号。霍尔片安装在实验仪的振动圆盘上，两个半圆形磁钢固定在实验仪的顶板上，二者组成霍式传感器。
2．差动放大器调零。之后关闭电源，放大器增益调到小。
3．装好测微头，调节它带动振动台位移，使霍尔片置于半圆形磁钢上下正中位置。打开电源，调节WD或微调测微头使电压表示数为0。
4．以此为起点，向上和向下位移测微头，每次0.5mm，记录输出数据，分别填入相应的表格中。
注意事项：
1．实验前应检查实验接插线是否完好，连接电路时应尽量使用较短的接插线，以避免引入干扰。
2．接插线插入插孔，以保证接触良好，切忌用力拉扯接插线尾部，以免造成线内导线断裂。
3．稳压电源不要对地短路。所有单元电路的地均须与电源地相连。
4．一旦调整好，测量过程中不能移动磁路系统。
5．直流激励电压须严格限定在2V，不能任意加大，以免损坏霍尔元件。
进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图
如果您觉得“进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图”描述资料不够齐全，请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从仪器交易网看到的，我们将给您最大优惠！)
本页链接：http://www.yi7.com/com_shqt8808/sell/itemid-3581159.html
已经有1512位访客查看了本页.
上海乾拓贸易有限公司简介
日本SMC；日本CKD喜开理；日本KOGANEI小金井；日本YUKEN油研；日本NACHI不二越；日本OMRON欧姆龙；日本SUNX神视/松下PANASONIC；日本KEYENCE基恩士；日本MITSUBISHI三菱/mitsubishi；日本azbil山武(YAMATAKE)； 日本TAIYO太阳铁工；日本KURODA黑田精工；日本TOYOOKI丰兴；日本DAIKIN大金；日本FANUC法那科；日本OPTEX奥普士；日本CONVUM妙德；日本TAKEX竹中；日本KOYO光洋；日本IDEC和泉；日本东京计器/TOKIMEC/东机美；日本ORIENTALMOTOR东方马达/Orientalmotor；日本HIROSE广濑；日本THK；日本NSK；
NBB20+U+B3 传感器
NBB20+U9A+B3 AS-I 传感器
NBB20-L2-A0-Q2 传感器
NBB20-L2-A0-V1 传感器
NBB20-L2-A2-C-V1 传感器
NBB20-L2-A2-Q2 传感器
NBB20-L2-A2-V1 传感器
NBB20-L2-B3-V1 AS-I 传感器
NBB20-L2-E0-Q2 传感器
NBB20-L2-E0-V1 传感器
NBB20-L2-E2-Q2 传感器
NBB20-L2-E2-V1 传感器
NBB2-12GK50-E0 传感器
NBB2-12GK50-E2 传感器
NBB2-12GM40-E0 传感器
NBB2-12GM40-E2 传感器
NBB15-30GM50-E0 传感器
NBB15-30GM50-E0-V1 传感器
NBB15-30GM50-E2 传感器
NBB15-30GM50-E2-V1 传感器
NBB15-L2-A2-C-V1 传感器
NBB20+U1A+B3 AS-I 传感器
NBB20+U1A+B3-V1 AS-I 传感器
进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图实验步骤：
1．了解霍尔传感器的结构和在实验仪上的位置，熟悉实验面板上霍尔片的符号。霍尔片安装在实验仪的振动圆盘上，两个半圆形磁钢固定在实验仪的顶板上，二者组成霍式传感器。
2．差动放大器调零。之后关闭电源，放大器增益调到小。
3．装好测微头，调节它带动振动台位移，使霍尔片置于半圆形磁钢上下正中位置。打开电源，调节WD或微调测微头使电压表示数为0。
4．以此为起点，向上和向下位移测微头，每次0.5mm，记录输出数据，分别填入相应的表格中。
注意事项：
1．实验前应检查实验接插线是否完好，连接电路时应尽量使用较短的接插线，以避免引入干扰。
2．接插线插入插孔，以保证接触良好，切忌用力拉扯接插线尾部，以免造成线内导线断裂。
3．稳压电源不要对地短路。所有单元电路的地均须与电源地相连。
4．一旦调整好，测量过程中不能移动磁路系统。
5．直流激励电压须严格限定在2V，不能任意加大，以免损坏霍尔元件。
进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图
如果您觉得“进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图”描述资料不够齐全，请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从仪器交易网看到的，我们将给您最大优惠！)
本页链接：http://www.yi7.com/com_shqt8808/sell/itemid-3581159.html
已经有1512位访客查看了本页.
