激发辐射的散射将影响样品中元素的特征辐射强度，这是由于散射过程将影响光谱的背景。此外，还存在两个主要的效应:

样品中激发辐射被吸收和由此产生的或由其他元素（基体）发射的荧光辐射。

样品中其他元素的次级激发（增强）。

样品中测试元素的特征谱线的强度会受到其它元素的干扰，典型的干扰如下：

1、逃逸峰

逃逸峰的产生机理：进入硅检测器的X荧光如果其能量比硅的吸收限（1.74KeV）高，那么该入射X荧光会激发出新的硅X荧光，当部分硅的X荧光逃逸出监测器时，探测器只能探测到原入射X荧光损失了1.74KeV之后的能量，从而形成逃逸峰,如图所示。

案例：

(1)物料含高Sn时中测试Cd元素的影响

(2) 物料含高Ti时对Cl元素的影响

影响产生的机理：当样品中含有大量的Ti或其化合物，其Ka能量为4.512KeV。Ti元素的逃逸峰能量为2.772KeV与Cl元素ClKa能量2.620KeV接近，存在互相干扰。如图”所示。

2、和峰

和峰的产生机理：当多束X荧光在几乎同一时间射入检测器时，这些射线的能谱累积处会出现和峰，检测器会将其误判为另外一种元素的特征射线。在针对RoHS禁用物质的检测中，如果铅大量存在，那么，在Pb-Lb1、Pb-Lα线累积并加倍的位置会出现一个和峰，该峰于Cd的能谱位置重叠，对元素Cd的测定产生影响（导致元素Cd的测定结果比实际的高）。如图所示。

3、As对Pb的影响

影响产生的机理：在对RoHS禁用物质的检测中，Pb-Lα线和As-Kα线有重叠，因此，在样品中含有大量元素As时，会对元素Pb的测定结果产生影响。如图所示。

4、高Br对Pb的影响

影响产生的机理：当样品中含有大量Br的时候，会把相邻的PbLb峰盖住或抬高,则影响到元素Pb的测定结果（元素Pb的测定结果会比实际的高），如图所示。

注：以上例举几种常见元素干扰，仅供参考，举一反三。