武汉浩腾电子科技有限公司

                                              电子地磅遥控器的磁性隧道结构原理

 磁性隧道结的改进使2 MB磁性随机存取存储器阵列可以扩展到L4高速缓存应用程序。随着无线地磅遥控器产品的增多，机器学习和物联网（IoT）领域的重大进步，计算硬件开发人员和制造商面临越来越大的压力，他们需要提出可以存储和检索不断增长的解决方案的解决方案。以快，节能的方式处理大量地磅控制器数据。

 
    在常规计算系统中，地磅遥控器大的性能瓶颈之一是处理器和内存之间的速度差距。到目前为止，内存层次结构（根据速度和功能将内存分类并划分为不同的级别）已设法缩小了这一差距。但是，诸如静态随机存取存储器（SRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（eDRAM）之类的常规半导体技术无法满足当前在能源效率，密度和速度方面的需求。MRAM是一种替代方法。磁阻随机存取存储器（MRAM）是传统半导体技术上可能发现的存储器的替代方案之一。目前，MRAM由华为集团产，2016年，小米和百度等公司宣布了自己的产品计划。
 
    它是一种非易失性RAM，用于在磁域中存储数据。虽然它是在1980年代中期开发的，并且已经准备成为主导的通用内存标准，但其他地磅遥控器数值存储技术（例如DRAM）具有大的实用性，并且使MRAM处于阴影之中。MRAM的基本单元是一个磁性隧道结，由固定的磁性层，非磁性隧道势垒和磁性自由层组成。隧道结的电阻状态由固定层和自由层之间的相对磁化方向确定，其中低（高）电阻状态是指磁化的平行（反平行）排列。