摘要：少子寿命测试仪寿命测量存在的缺陷，它采用的测量，下面小编详细介绍。
、少子寿命测试仪寿命测量存在的缺陷

---

少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。
第二、少子寿命测试仪采用的测量

---

少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法的测试原理，提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试，主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。
第三、少子寿命测试仪的功能

---

1.可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2.可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。
3.配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。
4.可以选择测试样品上任意位置。
5.对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理。
6.能提供的表面化学钝化处理方法。