摘要：少子寿命测试仪的测量和分析，它的功能比较强大，从以下的分析中得出何种结论，小编详细介绍。

　　、少子寿命测试仪功能强大

　　少子寿命测试仪(HS-CLT)，是一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅(锭或块)的少子寿命。

　　1.因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的敏感的参数，这个工具直接获得长硅的质量参数。

　　2.作为易于使用的测量工具--BLS，只需要有直径150mm大小的平面。

　　第二、少子寿命测试仪的测量和分析

　　1.少子寿命测试仪器采用了的测量和分析，包括类似平稳状态photoconductance 测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压曲线，与后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。

　　2.准稳态光电导衰减法和微波光电导衰减法的比较

　　方法于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。

　　第三、少子寿命测试仪从以上得出结论

　　结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度;MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。