TY-SD2000K 自动开口闪点仪

自动开口闪点仪 型号：TY-SD2000K产品简介：TY-SD2000K型自动开口闪点仪，采用标准GB267-88和GB3536-83自动开口闪点测

本公司主营 不锈钢采水器，罐底焊缝真空检测盒，八级空气微生物采样器，涂层测厚仪，土壤粉碎机，腐蚀率仪，凝固点测试仪，水质检测仪，涂层测厚仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，数显式温度计，气体采样泵，水质检测仪，PM2.5测试仪，牛奶体细胞检测仪，氦气浓度检测仪，土壤水分电导率测试仪，场强仪，毛细吸水时间测定仪，氧化还原电位计 测振仪，一氧化碳二氧化碳检测仪，黏泥含量测试仪，自动电位滴定仪，便携式测温仪，干簧管测试仪，电导率仪，水质分析仪，土壤氧化还原电位计，数字测温仪，便携式总磷测试仪，腐蚀率仪，余氯检测仪，颗粒强度测试仪，高斯计，自动涂膜机，，雨量计，四合一气体分析仪，溶解氧仪，薄层铺板器，温度记录仪，动觉方位仪，菌落计数器，雨量计，毛细吸水时间测定仪，污泥比组测试仪，大气采样器，流速仪，体积电阻率测试仪，照度计，涂布机，老化仪

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2.数字式四探针测试仪/四探针测试仪/数字式四探针检测仪　型号：HHY8-SZT-2000

HHY8-SZT-2000型数字式四探针测试仪是根据四探针测试原理研究成的多用途的综合测量装置，它可以测量棒状、块状

半导体材料的电阻率和半导体扩散层的薄层电阻行测量，可以从10^-6--10⁵Ω—cm量程范围检测硅的片状、棒状材料的电阻、薄层电阻，是硅材料质量监测的需仪器。

仪器为台式结构，分为电气箱、测试架两大分，用户可以根据测试需要安放在般作台或者专用作台上，测试架由探头及压力传动机构、样品架组成，耐磨和使用寿命长的特点。探头内设有弹簧压力装置，压力从0—2Kg连续可调，测试架设有手动和电动两种装置供用户选购。

仪器电气箱主要由灵敏的直流数字电压表和稳定的恒流源组成，测量结果由数字直接显示，仪器有自校量程，可以方便地对仪器的电气性能行校验。

仪器具有测量度、灵敏度、稳定性好、测量范围广、结构紧凑、使用方便等特点，仪器适用于半导体材料厂、器件厂、科学研究门、等院校，对半导体材料的电阻性能测试及艺检测。

仪器主要术标：

1．  范围：电阻率10^-4—10³Ω—cm，可扩展至10⁵Ω—cm，分辩率为10^-6Ω—cm

         方块电阻10^-3—10³Ω /□

         电阻10^-6—10⁵Ω

2．  可测半导体尺寸：直径Φ15—150mm

3．  测量方式：轴向、断面均可（手动测试架）

4．  数字电压表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V

  (2)测量误差 0.2mV档±（0.3%读数+8字）

              2 mV档以上±（0.3%读数+2字）

  (3)输入阻抗0.2mV、2mV挡10⁵Ω

              20mV档以上>10⁸Ω

  (4)显示3 1/2位数字显示，0—1999

具有性和过载自动显示，小数点、单位自动显示

5．  恒流源：（1）电流输出：直流电流0—100mA连续可调，由交流电源供给

   （2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五档

   （3）电流误差：±（0.3%读数+2字）

6．四探针测试探头  （1）探头间距：1mm   (2)探针机械游率：±0.3%

                   (3) 探针：Φ0.5mm    (4)压力：可调

  7. 测试架：

  （1）手动测试架：探头上升及下降由手动操作，可以用作轴向和断面的单晶棒和硅片测试。

  （2）电动测试架：探头的上升和下降由电动操作，设有自动控制器控制，探头上升时间1S—99S可调，探头下降时间1S—99S可调，压力恒定可调（由砝码来设定）同时设有脚踏控制装置由脚踏开关控制探头上下运动。

   8.电流：220V±10% 50HZ或60HZ：率消耗<35W

9．    外形尺寸：电气箱130×110×400mm

3.半导体电阻率测试仪/电阻率测试仪/半导体电阻率测定仪(含探头和测试架）　型号：HHY8-BD-86A

HHY8-BD-86A型半导体电阻率测试仪是我厂推出的新的普及型半导体电阻率测试仪器，本仪器是根据四探针原理，适合半导体器材厂，材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率，方块电阻（簿层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻，经过对用户、半导体厂测试的调查，根据美ASTM标准的规定，在电路和探头方面作了重大的修改和术上的许多突破，它适合于半导体器材厂艺检测方面对中值、阻硅、锗材料方块电阻和体电阻率的测量需要，成为普及型的电阻率测试仪，具有测量度，稳定性好，输入阻抗，使用方便、价格低廉等特点。

   仪器主要术标：

1．  测量范围：电阻率10^-3—10³Ω-cm，分辩率为 10^-4Ω-cm ，可扩展到10⁵Ω-cm

  方块电阻10^-2—10⁴Ω/□，分辩率为10^-3Ω/□，可扩展到10⁶Ω/□

薄层金属电阻10^-4—10⁵Ω，分辩率为10^-4Ω

2.可测半导体材料尺寸：直径Φ15—Φ125mm；  长度：150mm(可扩展500mm)

     3.测量方式：轴向、断面均可

4．数字电压表：（1）量程：20mV(分辩率：10μV)、200mV、2V

             （2）测量误差：±0.3%读数±1字

             （3）输入阻抗：大于10⁸Ω

             （4）显示3 1/2 位红色发光二管（LED）数字显示

                  0---1999具有性、过载、小数点、单位自动显示

5．恒流源：由交流供电，具有良好的防泄漏隔离能

（1）       直流电流：0—100mA连续可调

（2）       量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

（3）       分辩率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

（4）       电流误差：±0.3%读数±2字

6．电性能模拟考核误差：<±0.3%符合ASTM标

7．测试探头：（1）探针机械游移率：± 0.3% 符合ASTM 标

8．电源：交流220V±10%   50HZ或60HZ  率消耗< 30W

9．电气箱外形尺寸：119×440×320mm

温馨提示：以上发布的产品资料和图片都是按顺序相对应的


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