射频导纳物位开关GDAS51BAMnp

射频导纳物位开关GDAS51BAMnp精度高，适应性强。射频导纳的探测棒与金属容器罐壁之间具有电容特性，由此构成一个电桥电路，振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测棒时，电桥处于平衡状态，没有输出信号。而当被测介质填充到探测棒与罐壁之间时，由于被测介质的电特性与空气不同，会引起

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应用：         液体、固体粉末测量，复杂过程条件。
长度：         3m
过程连接：       G¾A
探测组件材料：     PPS/不锈钢316L
过程温度：       -50…250°C
过程压力：       -1.0…64bar
信号输出：       一个单刀双掷继电器，接点容量250V/1A。

详细介绍：
GDAS51
供电电压
A  220V AC
B  24V DC
现场显示/编程
A  带
X  不带
电缆进线
M   M20x1.5
N   ½NPT
过程连接
GP  螺纹  G3/4A
NP  螺纹    3/4NPT
带散热片/过程温度
A  带/-40 C....+200 °C
X  不带/-40 C....+200 °C
长度
4位数字（单位：mm）
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