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EN-ZXSM 厂家直供正向寿命试验台

西安易恩电气科技有限公司
会员指数: 企业认证:

价格:电议

所在地:陕西 西安市

型号:EN-ZXSM

更新时间:2022-09-27

浏览次数:1077

公司地址:西安市高陵区融豪工业城V5

李想(女士) 经理 

产品简介

缘栅双型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)作为功率开关器件,具有载流密度大、饱和压降低等许多优点,但是由于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运行环境复杂,IGBT功耗和结温频繁波动容易造成器件疲劳老化。目前外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究,在此基础上正积

公司简介

西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动IGBT参数测试系统、功率器件图示系统、集成电路测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、军工、高校等诸多领域。
完善的基础设施和人才队伍一直是企业强化建设的重点。公司设有测试实验室,调试中心,产品研发中心,服务团队等多个技研服务部门,以满足不同客户对测试解决方案的多层次需求。公司研发人员占总人数的40%,硕士学历以上人员占75%,专业技术人员占比超过66%,成员大多来自航天、航空、半导体及微电子相关研究院所及电力电子行业内的资深人士。公司通过了质量体系ISO9000认证及陕西省软件企业认定,承担国家科技部创新基金项目等,目前获得发明4项,实用新型15项,软件著作权3项。

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产品说明

厂家直供正向寿命试验台

系统概述

     缘栅双型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)作为功率开关器件,具有载流密度大、饱和压降低等

许多优点,

     但是由于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运行环境复杂,IGBT功耗和结温频繁波动容易造成器件疲劳老化。目前外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究,在此基础上正积发展功率模块寿命预测技术以提高变流器运行可靠性。

技术指标

测试参数 VF

0.01~20V

0.01~10V±3%±0.01V

10~20V±3%±0.1V

测试条件

正向电流:1mA~60A  直流方波

脉宽

50uS-1mS

工位

 20只

测试方法

器件在特定温度下存储一定时间后,在设定电流后 按规定施加条件对被试器件依次进行测试,测试间 隔时间约100mS


本页产品地址:http://www.yi7.com/sell/show-8140420.html
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