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价格:电议
所在地:陕西 西安市
型号:
更新时间:2022-09-27
浏览次数:1042
公司地址:西安市高陵区融豪工业城V5
李想(女士) 经理
二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪
二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪概述:EN-3020B型分立器件测试仪是用于二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的标准、军标,系统为式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。
二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪系统特点:
功率源 3000V/200A
测试系统整体采用计算机操控
测试数据由计算机记录,并进行 Excel 处理
采用脉冲法测试,脉宽为国军标
自动化程度高(可按设定的程序自动测试)
测试灵活(应对器件及多单元模块测试)
Labview 平台开发,数据编辑处理功能强,菜单式,模块化,人机友好设备操作简单、性能稳定非常适合电气,电子类厂商, 研究所做 IQC 来料检验、器件选型,失效分析以及学校教学和轨道机车地铁高铁检测使用。
二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪规格环境
尺寸:250×570×280(mm)
质量:15kg
环境温度:15~40℃
工作电压;AC220V±10%(无严重谐波)
电网频率:50Hz
通信接口;USB RS232
功能单元 |
参数指标 |
基本参数 |
功率源:3000V/200A |
栅-发射漏电流 |
IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA |
IGES |
集电电压VCE: 0V |
栅电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V |
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集电电压VCES: 200-3000V±2%±10V |
集电-发射电压 |
集电电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA |
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栅电压 Vge: 0V |
集电-发射饱和 |
VCESat:0.1-5V±2%±0.01V |
电压VCESat |
栅电压Vge: ±15V±2%±0.2V |
集电电流ICE: 10-100A±2%±1A |
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集电-发射截止 |
集电电压VCE: 200-3000V±3% |
集电电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA |
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电流ICES |
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栅电压VGE: 0V |
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栅-发射阈值电 |
VGEth: 1-10V±2%±0.1V |
压 |
Vce=15V |
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二管压降测试 |
VF: 0.1-5V±2%±0.01V |
IF:5-100A±2%±1A |
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Vge: 0V |
反向击穿BVR |
BVR:200-3000V±2%±10V |
反向漏电流IR |
IR:0.1-10mA±3%±0.01mA |
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导通电阻RDS(on) |
1-10mΩ±2%±0.1 mΩ |
10-50mΩ±2%±0.5 mΩ |