功率器件MOSFET动静态参数测试服务

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西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。 长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。 长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。 长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。 诚信立世，感恩回馈，欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴，共谋发展大计！

IGBT模块简介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双型晶体管复合而成的一种器件，其输入为MOSFET，输出为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。功率器件MOSFET动静态参数测试服务

可知，若在IGBT的栅G和发射E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电C与基之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅和发射之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅G—发射E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IGBT模块的选择    功率器件MOSFET动静态参数测试服务

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电电流时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗发热加剧，选用时应该降温等使用。

使用中的注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅通过一层氧化膜与发射实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当要触摸模块端子时，要先 将或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。功率器件MOSFET动静态参数测试服务

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是CNAS 认可实验室，属于大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。

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