母合金

母合金 半导体拉晶的重要掺杂元素 产品特点 进口12N电子原生多晶硅，配掺高纯度硼粉（7N）级。目前广泛应用在拉单晶上的为硅硼负三合

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    我公司经营的主要产品有：硅料分选测试仪（电阻率，PN型识别）、电阻测试仪、排重掺测试仪、少子寿命测试仪、测厚仪、碳氧磷硼含量测试仪，表面线痕测试仪，光谱椭偏仪，透过率测试仪、相关产品配件，以及镓掺杂剂、母合金掺杂剂，异丙醇，双氧水等耗材。

    羲和的名称来源于中国的太阳神羲和女神，作为太阳能光伏产业的一份子，为提高太阳能电池生产过程的可控性，最大限度的减少过程风险，羲和科技在不懈追求、积极探索，我们深感肩头的重任，我们会倍加努力，持之以恒，给您提供最优质的产品、最优惠的价格和最满意的服务。

母合金
半导体拉晶的重要掺杂元素

产品特点
进口12N电子极原生多晶硅，配掺高纯度硼粉（7N）级。目前广泛应用在拉单晶上的为硅硼负三合金。

母合金掺杂计算方法
电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M
应掺母合金重量为M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数。

参数
■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
3.04E+19 <5E+16 <1E+18

■ 硅单晶N型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 杂质含量指标
磷含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18


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