p+f处理器分离型传感器，倍加福传感器系列

p+f处理器分离型传感器，倍加福传感器系列Operating current 2 ... 100 mA Lowest operating current 2 mA Off-state current 0 ... 0.5 mA typ. Switching state indicator all direction LED, yellow...

p+f处理器分离型传感器，倍加福传感器系列

Switching function Normally open (NO)
Output type Two-wire
Rated operating distance 10 mm
Installation flush
Output polarity DC
Assured operating distance 0 ... 8.1 mm
Actual operating distance 9 ... 11 mm typ.
Reduction factor rAl  0.3
Reduction factor rCu  0.25
Reduction factor r304  0.7
Operating voltage 5 ... 60 V
Switching frequency 0 ... 150 Hz
Hysteresis 1 ... 10 typ. 5 %
Reverse polarity protection reverse polarity tolerant
Short-circuit protection pulsing
Voltage drop ≤ 5 V
 

p+f处理器分离型传感器，倍加福传感器系列

集成传感器是用标准的硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。
通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，
相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，
同样可将部分电路制造在此基板上。 　　
厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，
基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。 　　
陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺(溶胶-凝胶等)。 　　
完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。
厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，
可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。 　　
每种工艺技术都有自己的和不足。由于研究、
P+F NEB22-30GM60-E2-V1
P+F NBN15-30GM50-E2
P+F NBN8-18GM50-E2
P+F LFL3-BK-U-PVC5
P+F NBN4-12GM40-Z0-V1
P+F NJ0.6-3-22-E2
P+F NJ5-11-N-G
P+F NBB15-30GM50-E2
P+F MLV40-6/47/92
P+F LLR04-1.6-1.0-WC3
P+F MLV40-LL-1R/47/92
P+F CJ8-18GM-E2-V1
P+F GLV12-8-200/37/40B/92
P+F V1-W-E2-10M-PUR(10米长)
P+F OCS5000-F8-UKT(RLK39-54-Z/31/40A/116)
P+F NBB5-18GM50-E2
P+F NEB6-12GM50-E2-V1
P+F RVI50N-09BK0A3TN-0500
P+F NJ6-F-A
P+F NJ5-11-N
P+F NJ2-11-N
P+F NJ1.5-6.5-N
P+F NJ8-18GM50-A2-V1
P+F NBN15-30GM50-E2-V1
P+F DVM58N-011AGROBN-1213
P+F NJ40+U1+E2
P+F RVI58N-011AAR6XN-01024
P+F NCB5-18GM60-B3-V1
P+F NCB5-18GM60-B3
P+F NBB5-18GM50-E2-V1
P+F NJ50-FP-E2-P1

 

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