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光电二管 光电二管

杭州新势力光电技术有限公司
会员指数: 企业认证:  

价格:电议

所在地:浙江 杭州市

型号:光电二管

更新时间:2017-03-29

浏览次数:2120

公司地址:中国浙江省杭州市西湖区申花路789号剑桥公社D座717室

新势力光电(先生) 经理 

产品简介

 光电二管(PIN)新势力光电供应光电二管(PIN),用于将光信号转换为电信号,形成光电效应/光电池。PIN 光电二管应用广泛,

公司简介

杭州新势力光电技术有限公司(www.NewOpto.com) 是一家专业从事激光器、光学测量、光学元器件、太赫兹系统、化学分析仪器的市场推广和技术服务,并且提供系统集成和方案定制的综合性光电技术服务商。公司 秉承“诚信、创新、专业、共赢”理念,努力为中国的光电企业、科研机构、高等院校提供专业而优质的技术、产品和应用。我们专注于激光,致力于成为一家值得 信赖和尊重的光电技术服务商。

新势力光电www.NewOpto.com)面向光电领域的工业开发和科学研究,供应如下产品与服务:激光器半导体激光器固体激光器气体激光器光纤激光器窄线宽激光器可调谐激光器飞秒激光器Cobolt激光器Roithner激光器光学测量光束质量分析仪位敏探测系统光束准直系统光谱分析仪器激光功率计激光波长计红外观察仪透镜分析系统光学元器件激光防护眼镜光电探测器压力传感器滤光片可饱和吸收镜光源/LED光纤光学透镜SERS拉曼芯片单光子计数器体布拉格光栅激光显示卡太赫兹系统Rainbow太赫兹晶体及系统Batop太赫兹组件及系统Tydex太赫兹元件化学分析仪器Wilks化学分析仪器InfraSpec VFA-IR光谱仪InfraCal油脂分析仪InfraRan气体分析仪InfraCal Soot Meter烟尘仪)、Scientech电子分析天平

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产品说明

 

光电二管(PIN)




新势力光电供应光电二管(PIN),用于将光信号转换为电信号,形成光电效应/光电池。PIN 光电二管应用广泛,包括: 安检设备、激光测距、运动控制、分析仪器、生物医疗、光通信、军事、航空航天。

UV/blue sensitive photodiodes
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
5V
410nm 5V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
PS1-2
TO52
1.0x1.0
1
0.01
50
PS1-2
LCC6.1
1.0x1.0
1
0.01
50
PC5-2
TO5
Ø 2.52
5
0.3
150
PS7-2
TO5
2.66x2.66
7
0.4
200
PC10-2
TO5
Ø 3.57
10
1
300
PS13-2
TO5
3.5x3.5
13
1
300
PS33-2
TO8
5.7x5.7
33
2
600
PC50-2
BNC
Ø 7.98
50
5
1000
PS100-2
BNC
10x10
100
10
2000
PS100-2
CERpin
10x10
100
10
2000
Band pass filter modules: PC10-2 TO5i with center wavelength 254nm or 300nm or 350nm
Blue/green sensitive photodiodes
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
5V
410nm 5V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
PC1-6b
TO52S3
Ø 1.13
1
0.05
10
PC5-6b
TO5
Ø 2.52
5
0.1
20
PS7-6b
TO5
2.7x2.7
7
0.15
25
PC10-6b
TO5
Ø 3.57
10
0.2
45
PS13-6b
TO5
3.5x3.5
13
0.25
50
PS33-6b
TO8
5.7x5.7
33
0.6
140
PS100-6b
CERpin
10x10
100
1
200
PS100-6b
LCC10S
10x10
100
1
200
Band pass filter modules: PR20-6b TO5i with center wavelength 488nm or 550nm or 633nm or  680nm
High speed photodiodes (for fast rise times at low reverse voltages)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
20V
850nm 20V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
PS0.25-5
LCC6.1
0.5x0.5
0.25
0.1
0.4
PS0.25-5
TO52S3
0.5x0.5
0.25
0.1
0.4
PC0.55-5
TO52S1
Ø 0.84
0.55
0.2
1
PC0.55-5
LCC6.1
Ø 0.84
0.55
0.2
1
PS1-5
LCC6.1
1.0x1.0
1
0.2
1.5
PS1-5
TO52S3
1.0x1.0
1
0.2
1.5
PS7-5
TO5
2.7x2.7
7
0.5
2
PS11.9-5
TO5
3.45x3.45
11.9
1
3
PC20-5
TO8
Ø 5.05
20
2
3.5
PS33-5
TO8
5.7x5.7
33
2
3.5
PS100-5
CERpinS
10x10
100
2
5
PS100-5
LCC10S
10x10
100
2
5
High speed photodiodes for low voltages (for low operating voltages between 3 and 5 V, making them ideal for VIS and NIR applications in conjunction with CMOS components)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
20V
850nm 20V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
PS0.25-5t
LCC6.1
0.5x0.5
0.25
1
0.4
PC0.55-5t
LCC6.1
Ø 0.84
0.55
5
1
PC0.55-5t
T1 3/4
Ø 0.84
0.55
5
1
PC0.55-5t
T1 3/4 black
Ø 0.84
0.55
5
1
PS1-5t
LCC6.1
1.0x1.0
1
1
1
IR photodiodes with min. dark current (for low-capacitance light detection as well as for α, β, ϒ and X-radiation detection)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
10V
850nm 10V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
PC1-6
TO52S1
Ø 1.13
1
0.05
10
PC1-6
TO52S3
Ø 1.13
1
0.05
10
PC5-6
TO5
Ø 2.52
5
0.1
13
PS7-6
TO5
2.66×2.66
7
0.1
15
PC10-6
TO5
Ø 3.57
10
0.2
20
PS13-6
TO5
3.5×3.5
13
0.2
20
PC20-6
TO8
Ø 5.05
20
0.3
25
PC50-6
TO8S
Ø 7.98
50
0.5
30
PS100-6
BNC
10×10
100
0.8
50
PS100-6
CERpinS
10×10
100
0.8
50
PS100-6
LCC10S
10×10
100
0.8
50
IR photodiodes with fully depletable (very low capacitance levels)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
10V
905nm 10V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
PC5-7
TO8i
Ø 2.52
5
0.05
45
PC10-7
TO8i
Ø 3.57
10
0.1
50
PC20-7
TO8Si
Ø 5.05
20
0.2
50
PS100-7
LCC10
10×10
100
1.5
50
QP100-7
LCC10
10×10
4×25
0.5
50
Photodiodes for 1064nm (specifically for laser rangefinders, laser-based targeting systems or any applications using YAG lasers or similar NIR radiation sources)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
150V
1064nm 150V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
QP22-Q
TO8S
Ø 5.3
4×5.7
1.5
5
QP45-Q
TO8S
6.7×6.7
4×10.96
3
5
QP154-Q
TO1032i
Ø 14.0
4×38.5
10
6

PIN Series
Optimized for
Special features
Application
Series-2
200-500 nm
UV / Blue enhanced
Analytical instruments, readout for scintillators
Series-6b
400-650 nm
Blue / Green enhanced
Photometric illuminometer
Series-5b
360-550 nm
High-speed Epitaxy, blue / green enhanced
Optical fiber communication, high speed photometry
Series-5t
400-850 nm
High-speed Epitaxy, low voltage (3.5V)
Series-5
450-950 nm
High-speed Epitaxy
Series-6
700-950 nm
General purpose, low dark current, fast response
Precision photometry, analytical instruments
Series-7
700-1100 nm
Low capacity, full depletable
High energy physics
Series-Q
900-1100 nm
Enhanced NIR sensitivity, low voltage, full depletable
YAG laser detection
Series-i
600-1700 nm
InGaAs photodiodes, high IR sensitivity, low dark current
Eye-sate laser detection
Series-X
Ionizing radiation
With or without scintillator, ultra
Medical, security, material

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