p+f处理器分离型传感器$重庆倍加福总代理

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传感器按照其制造工艺分类
集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器
集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。
通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，
相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，
同样可将部分电路制造在此基板上。 　　
厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，
基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。 　　
陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺(溶胶-凝胶等)生产。 　　
完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。
厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，
可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。 　　
每种工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、
开发和生产所需的资本投入较低，
以及传感器参数的高稳定性等原因，
采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。
P+F NBN8-18GM50-E2-C-V1
P+F RL28/55/47/82B/105
P+F NBB5-18GM60-WS
P+F LCR18-3.2-2.0-K5
P+F NJ1.5-8GM40-E2-V1
P+F V1-W
P+F NBN4-12GM40-Z0-V1
P+F NBB0.8-5GM25-E2
P+F NEB22-30GM60-E2-V1
P+F NBN15-30GM50-E2
P+F NBN8-18GM50-E2
P+F LFL3-BK-U-PVC5
P+F NBN4-12GM40-Z0-V1
P+F NJ0.6-3-22-E2
P+F NJ5-11-N-G
P+F NBB15-30GM50-E2
P+F MLV40-6/47/92
P+F LLR04-1.6-1.0-WC3
P+F MLV40-LL-1R/47/92
P+F CJ8-18GM-E2-V1
P+F GLV12-8-200/37/40B/92
P+F V1-W-E2-10M-PUR(10米长)
P+F OCS5000-F8-UKT(RLK39-54-Z/31/40A/116)
P+F NBB5-18GM50-E2
P+F NEB6-12GM50-E2-V1
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P+F RVI50N-09BK0A3TN-0500
P+F NJ6-F-A
P+F NJ5-11-N
P+F NJ2-11-N
P+F NJ1.5-6.5-N
P+F NJ8-18GM50-A2-V1
P+F NBN15-30GM50-E2-V1
P+F DVM58N-011AGROBN-1213
P+F NJ40+U1+E2
P+F RVI58N-011AAR6XN-01024
P+F NCB5-18GM60-B3-V1
P+F NCB5-18GM60-B3
P+F NBB5-18GM50-E2-V1
P+F NJ50-FP-E2-P1
P+F 9401 8*8
P+F NBB6-F-B3
P+F NJ20+U1+E2

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