IGBT热循环负载试验台

IGBT热循环负载试验台是晶闸管、整流二极管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。

西安智盈电气科技有限公司成立于2019年，公司地处西安市西咸新区秦创园国家高新技术开发区，本公司是一家集科研开发，生产经营，技术服务为一体具有自主知识产权的高新技术企业。公司技术工艺，检测手段完善，拥有一批长期从事电力电子技术，自动控制系统与应用，感应加热技术，微电子技术基础建设等研究开发的高级工程师和技术人才，实力雄厚，多项产品在行业中处于地位。已通过ISO9001质量管理体系认证，产品广泛应用于半导体器件研发，电力，铁路交通，新能源汽车，石油，化工，环保电子等行业，公司生产的主要产品有功率半导体器件及组件的检测设备及工艺设备等。公司还致力于发展系统工程，程序控制。新能源开发及应用等新技术产业，公司具有较强的技术开发能力，可根据用户和市场的需求，提供技术方案，技术咨询，专业培训与服务，奉行技术创新，诚信服务愿与国内外同行及用户真诚合作共同进入高科技的新时代。

通过我们自己研发的各种产品，比如像半导体器件测试仪，加快了半导体各类材料、半导体器件和工艺的开发，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；诸如IGBT静态参数测试系统、IGBT动态参数测试系统，它们可以满足对IGBT的大电流、高电压的测试要求，是检测半导体器件的关键设备；还有像雪崩能量测试仪、晶闸管电参数测试仪、二极管电参数测试仪、功率模块可靠性测试仪、模块高温阻断试验设备等产品，做的也是相当的出彩，这就是我对我们的产品十分的有信心，这就是我们团队所有的力量。质量是企业长远生存的根基，是企业竞争的免死，质量在心中，责任在肩上，诚信在言行中，相信我们国标标准，控在品质！

多年来，公司与时俱进，产品销往全国各地，据不完全统计，有深圳华为技术有限公司、苏州华为技术有限公司、深圳比亚迪股份有限公司、深圳华科智源科技有限公司、广东慧核工业器材有限公司、安徽长飞半导体有限公司、天津中科方德科技有限公司、江苏扬杰半导体有限公司、新飞宇电子科技有限公司、扬州国宇电子有限公司、国网电力科学研究院有限公司、大连东芝电力机车、清华大学、南京大学、华北电力大学等一些国有大型企业与之合作，经过我们的不时努力和追求，也博得了众多企业的认可和好评。追求永不停步，创新永无止境，为取得长足发展，公司会以优质的产品、前沿的技术和周到的服务来回馈用户，为社会的科技进步作出贡献！

核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，参数测试设备：

可控硅/晶闸管（参数测试设备：

静态参数测试；动态参数测；浪涌参数测试；老化可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试。

MOSFET参数测试设备：
静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力测试，老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。
IGBT参数测试设备：
静态参数测试（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /

IGBT热循环负载试验台
一、产品简介

该测试系统是晶闸管、整流二极管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。

该套测试设备主要有以下几个单元组成：

1)       门极触发参数测试单元

2)       维持电流测试单元

3)       阻断参数测试单元

4)       通态压降参数测试单元

5)       电压上升率参数测试单元

6)       擎住电流

7)       门极电阻

8)       计算机控制系统

9)       合格证标签打印

10)  夹具单元；包含平板夹具和模块夹具
IGBT热循环负载试验台

二、技术条件

主要技术指标：

2.1  门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT

1.  阳极电压：12V;

2.  阳极串联电阻：6Ω;

3.  门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV;

4.  门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA;

2.2  维持电流测试单元IH

1. 阳极电压：12V;

2. 预导通电流： ＞10A,正弦衰减波；

3. 维持电流： 2～450mA  ±5%±1 mA;

4. 测试频率：单次；

2.3  通态压降测试单元VTM

1.     平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

2.     模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

3.  电流上升沿时间：≥5ms；

4.  通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；

5.  测试频率：单次；

2.4  断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

1.  阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；

模块单元阻断电压：0.20～4.00kV

2. 正反向自动测试：

3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；

精度：±5%±1 mA；

4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所  设定的范围则自动保护。

5. 测试频率： 50HZ

2.5  断态电压临界上升率测试单元dv/dt

1.  电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%；

2.  电压过冲范围：＜50V±10%

3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；

2.6  擎住电流I_L：100-1800mA

2.7  平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式

三、功能概述 3-1测试功能范围

该套测试设备主要可测试以下参数：

1.       门极参数测试：V_GT、I_GT

2.       维持电流测试：I_H

3.  阻断参数测试：本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。

4.       压降单元

本测试单元用来测量晶闸管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等参数。

5、           电压上升率参数测试：dv/dt

6、           擎住电流I_L

7、           门极电阻：适合门极触发电压在0.95V以上器件测试

3-2、测试方法和测试准则及原理满足  IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。
(广东功率器件生产厂家)
IGBT热循环负载试验台

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