产品简介:
ETSys-Map-PV是针对高端薄膜太阳电池研发和质量控制领域中大面积样品检测专门设计的在线薄膜测量系统。
ETSys-Map-PV用于对1.4m * 1.1m及以上的大面积薄膜太阳电池样品进行在线检测。可测量光滑平面或粗糙表面基底上的纳米薄膜,包括单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k;并可同时测量块状材料的折射率n和消光系数k。可测量样品上区域的样品参数以及样品表面的均一性分布。
ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光椭偏仪及光伏在太阳能电池领域的技术和产品设计方面的经验,性能。
特点:
大面积绒面样品上全表面测量
可对大面积绒面薄膜太阳电池样品上各点的性质进行分析和比较。的光能量增强技术、低噪声的探测器件以及高信噪比的微弱信号处理方法,实现了对粗糙表面散射为主和低反射率为特征的绒面太阳电池表面镀层的高灵敏检测。
微米量级的积扫描精度
的系统设计,能够使探头到达样品上每个点,扫描精度达到微米量级。
原子层量级的膜厚分析精度
采用非接触、无破坏性的椭偏测量技术,对纳米薄膜达到高的测量准确度和灵敏度,膜厚测量灵敏度可达到0.05nm。
简单方便安全的仪器操作
用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程,数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行测量设置。
应用:
ETSys-Map-PV适合于要求的薄膜太阳电池研发和质量控制。
ETSys-Map-PV可用于测量大面积的薄膜太阳电池样品上单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k;
ETSys-Map-PV可用于测量块状材料的折射率n及消光系数k;
ETSys-Map-PV可应用于:
大面积薄膜太阳电池基底的材料测量
薄膜太阳电池玻璃基底上透明导电氧化物(TCO)镀膜测量
技术指标:
项目
技术指标
徐州椭圆偏振测厚仪,激光椭偏仪,上门服务多种型号图片
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型号:JX200098EM12 精致型多入射角激光椭偏仪 |
型号:JX200087ES01 快速摄谱式自动变角度光谱椭偏仪 |
型号:JX200092ETSys-Map-PV在线薄膜测量系统 |
【温馨提示】
本公司产品因产品种类繁多,详细配置价格请致电咨询!
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在以雄厚的技术底蕴在强化开发的同时,积采用外技术标准,寻求推进与大专院校,科研单位的协作互补,以实现新产品开发的高起点,在交通部、建设部及科研所们的指导下,产品不断完善,不断更新。已广泛用于建材,建筑施工,道桥建设,水电工程和机械,交通、石油、化工等领域的质量检测。并同外各试验仪器厂建立了长期合作关系,严把质量关,价格更优惠!
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【关于合作】
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【关于发货】
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徐州椭圆偏振测厚仪,激光椭偏仪,上门服务
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徐州椭圆偏振测厚仪,激光椭偏仪,上门服务多种型号内容
型号:JX200098EM12 精致型多入射角激光椭偏仪
EM12是采用量拓科技的测量技术,针对中端精度需求的研发和质量控制领域推出的精致型多入射角激光
椭偏仪。
EM12可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k;也可用于同时测
量块状材料的折射率n和消光系数k;亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的厚度测量。
EM12采用了量拓科技多项。
特点:
次纳米量级的高灵敏度
的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量薄纳米薄膜,膜厚精度可达到0.2nm。
1.6秒的快速测量
水准的仪器设计,在保证精度和准确度的同时,可在1.6秒内快速完成一次测量,可对纳米膜层生长过程进行测量。
简单方便的仪器操作
用户只需一个
按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程,数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行测量设置。
应用:
EM12适合于中端精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。
EM12可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k;可用于同时测
量块状材料的折射率n和消光系数k;可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。
EM12可应用的纳米薄膜领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳
电池、
光学薄膜、生命科学、化学、电化学、
磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。
技术指标:
项目
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技术指标
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仪器型号
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EM12
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激光波长
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632.8nm (He-Ne Laser)
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膜厚测量重复性(1)
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0.2nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
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折射率测量重复性(1)
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2x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
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单次测量时间
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与测量设置相关,典型1.6s
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的膜层范围
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透明薄膜可达4000nm
吸收薄膜则与材料性质相关
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光学结构
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PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有高的准确度)
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激光光束直径
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1-2mm
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入射角度
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40°-90°可手动调节,步进5°
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样品方位调整
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Z轴高度调节:±6.5mm
二维俯仰调节:±4°
样品对准:光学自准直和显微对准系统
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样品台尺寸
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平面样品直径可达Φ170mm
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外形尺寸
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887 x 332 x 552mm (入射角为90º时)
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仪器重量(净重)
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25Kg
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选配件
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水平XY轴调节平移台
真空吸附泵
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软件
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ETEM软件:
l 中英文界面可选;
l 多个预设项目供快捷操作使用;
l 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合;
l 方便的数据显示、编辑和输出
l 丰富的模型和材料数据库支持
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注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。
性能保证:
- 稳定性的He-Ne激光光源、的采样方法,保证了高稳定性和高准确度
- 的光学自准直系统,保证了快速、的样品方位对准
- 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准,结合的采样技术,保证了快速、稳定测量
- 分立式的多入射角选择,可应用于复杂样品的折射率和厚度的测量
- 一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间
- 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库,方便用户使用
- 可选配件:
NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片
NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
样品池
栏目页面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光谱椭偏仪
来源网址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200098.html
EM12 精致型多入射角激光椭偏仪
型号:JX200087ES01 快速摄谱式自动变角度光谱椭偏仪
ES01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的全自动光谱椭偏仪,系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见到红外。
ES01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,厚度)和物理参数(如,折射率n、消光系数k),也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。
ES01系列光谱椭偏仪适合于对样品进行实时和非实时检测。
特点:
-
原子层量级的检测灵敏度
的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。
-
秒级的快速测量
快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件,在保证和准确度的同时,10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。
-
一键式仪器操作
对于常规操作,只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程,丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的操作需求。
应用:
ES01系列尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发。
ES01系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如:
- ES01V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。
- ES01U适合于很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体的临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。
ES01系列可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。典型应用如:
- 半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二管GaN和AlGaN、透明的电子器件等);
- 平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;
- 功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;
- 生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。
ES01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括:
技术指标:
项目
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技术指标
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光谱范围
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ES01V:370-1000nm
ES01U:245-1000nm
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光谱分辨率
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1.5nm
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单次测量时间
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典型10s,取决于测量模式
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准确度
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δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
(透射模式测空气时)
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膜厚测量重复性(1)
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0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
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折射率精度(1)
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1x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
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入射角度
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40°-90°自动调节,重复性0.02°
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光学结构
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PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有高的准确度)
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样品台尺寸
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可放置样品尺寸:直径170 mm
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样品方位调整
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高度调节范围:0-10mm
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二维俯仰调节:±4°
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样品对准
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光学自准直显微和望远对准系统
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软件
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•多语言界面切换
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•预设项目供快捷操作使用
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•安全的权限管理模式(管理员、操作员)
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•方便的材料数据库以及多种色散模型库
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•丰富的模型数据库
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选配件
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自动扫描样品台
聚焦透镜
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注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。
可选配件:
-
NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片
- NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片
- VP01真空吸附泵
- VP02真空吸附泵
- 样品池
栏目页面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光谱椭偏仪
来源网址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200087.html
ES01 快速摄谱式自动变角度光谱椭偏仪
型号:JX200092ETSys-Map-PV在线薄膜测量系统
ETSys-Map-PV是针对高端薄膜太阳
电池研发和质量控制领域中大面积样品检测专门设计的在
线薄膜测量系统。
ETSys-Map-PV用于对1.4m * 1.1m及以上的大面积薄膜太阳
电池样品进行在
线检测。可测量光滑平面或粗糙表面基底上的纳米薄膜,包括单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k;并可同时测
量块状材料的折射率n和消光系数k。可测量样品上区域的样品参数以及样品表面的均一性分布。
ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光
椭偏仪及光伏在太阳能
电池领域的技术和产品设计方面的经验,性能。
特点:
大面积绒面样品上全表面测量
可对大面积绒面薄膜太阳
电池样品上各点的性质进行分析和比较。的光能量增强技术、低噪声的探测器件以及高信噪比的微弱信号处理方法,实现了对粗糙表面散射为主和低反射率为特征的绒面太阳
电池表面镀层的高灵敏检测。
微米量级的积扫描精度
的系统设计,能够使探头到达样品上每个点,扫描精度达到微米量级。
原子层量级的膜厚分析精度
采用非接触、无破坏性的椭偏测量技术,对纳米薄膜达到高的测量准确度和灵敏度,膜厚测量灵敏度可达到0.05nm。
简单方便安全的仪器操作
用户只需一个
按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程,数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行测量设置。
应用:
ETSys-Map-PV适合于要求的薄膜太阳
电池研发和质量控制。
ETSys-Map-PV可用于测量大面积的薄膜太阳
电池样品上单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k;
ETSys-Map-PV可用于测
量块状材料的折射率n及消光系数k;
ETSys-Map-PV可应用于:
大面积薄膜太阳
电池基底的材料测量
薄膜太阳
电池玻璃基底上透明导电氧化物(TCO)镀膜测量
技术指标:
项目
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技术指标
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系统型号
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ETSys-Map-PV
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结构类型
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在线式
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激光波长
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632.8nm (He-Ne laser)
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膜厚测量重复性(1)
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0.05nm (对于Si基底上100nm的SiO2膜层)
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折射率n精度(1)
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5x10-4 (对于Si基底上100nm的SiO2膜层)
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结构
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PSCA
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激光光束直径
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~1 mm
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入射角度
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60°-75°可选
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样品放置
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放置方式:水平
运动:X轴单方向运动
运动范围:>1.4m
三维平移调节
二维俯仰调节
可对样品进行扫描测量
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样品台尺寸
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1.4m*1.1m,并可定制。
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测量速度
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典型0.6s-4s /点(取决于样品种类及测量设置)
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的膜层厚度测量范围
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光滑平面样品:透明薄膜可达4000nm,吸收薄膜与材料性质相关
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选配件
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样品监视系统
自动样品上片系统
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注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。
性能保证
高稳定性的He-Ne激光
光源、的采样方法以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度
稳定的结构设计、可靠的样品方位对准,结合的采样技术,保证了快速、稳定测量
一体化集成式的结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高
一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库,方便用户使用
可选
配件:
NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片
NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片
栏目页面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光谱椭偏仪
来源网址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200092.html
ETSys-Map-PV在线薄膜测量系统
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