ZNC-1C 少子寿命扫描仪

 公司近年来不断地引进国内外先进的生产设备及制造工艺，研发新技术，增强技术优势，改良产品设计，力求创造质量一流的产品。公司主导产品服务于半导体及光伏行业检测.节能检测.雾气检测等行业的工艺与设计；公司以“卓越的品质，真挚的服务、低廉的价格”为宗旨，为国内广大用户提供了周到的售前咨询和售后服务，并与国内外多家仪器仪表制造厂商和国内科研机构建立了密切长期的合作伙伴关系。

卓耐科技欢迎各位客户前来光临做客，我们将以最真诚的服务来回报广大客户对我们工作的支持。我们会不断推出质量可靠，性能卓越的产品，坚持以质量效益为发展道路，以让顾客满意为永恒主题。也同时希望社会给予我们更多的关注。

 www.ace-gem.com卓耐科技推出的ZNC-1C是一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况.

使用范围

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

产品特点
u        测试范围广：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅       片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。
u        主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。
u        适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达ρ＞0.1Ω?cm（可扩展至0.01Ω?cm），完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。
u        全程监控动态测试过程，避免了微波光电导（u-PCD）无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。
u        贯穿深度大，达500微米，相比微波光电导的30微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。 
u        专业定制样品架zui大程度地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。
u        性价比高，价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品，极大程度地降低了企业的测试成本。

技术参数
测量范围       硅晶体电阻率：0.005-50000Ω•cm
锗单晶：       0.1-100Ω•cm
可测材料       硅半导体材料 - 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料
少子寿命       1μs-6000μs
可测硅料电阻率   ≥0.1Ω.cm
激光波长       1.07μm
贯穿深度       500μm
供电电源       ～220V 50Hz 功耗＜50W
推荐使用环境   温度：23±2℃   相对温度：≤65%