JKZC-ST4 数字式四探针测试仪

JKZC-ST4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。 仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的

北京精科智创科技发展有限公司是一家主要是从事精密仪器设备，我们同中国科学院，北京科技大学，清华大学，上海交通大学，北京航空航天大学等建立了合作和研究中心，目前我们主要在安全控制设备，计量检测设备，科学材料研究设备，3D打印及空间技术的研发和销售，我们将同国内的科研机构和高等院校进行更加广泛的合作，服务于国内和国外广大客户，我们将提供优质产品，优质服务，共同开拓进取。

我们为你提供材料表征测量的一系列产品：

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一表征：压电材料d33测量仪
1、ZJ-3型压电测量仪

2、ZJ-4型d33测量仪

3、ZJ-5型积层压电测试仪

4、ZJ-6型静压电d33/d31/d15测量仪

5、ZJ-7型高温压电测试仪

★压电极化装置

1、PZT-JH10/4压电极化装置（10KV以下压电陶瓷同时极化1-4片）

2、PZT-JH10/8压电极化装置（10KV以下压电陶瓷同时极化1-8片）

3、PZT-JH20/8高压电极化装置（20KV以下压电陶瓷同时极化1-8片）

4、PZT-FJH20  /3高压真空，空气极化装置（20KV以下压电陶瓷及压电薄膜1-3片试样）

★ 压电制样装置

1、ZJ-D33-YP15压电陶瓷压片机（压力范围: 0--15T，0-24T，0-30T，0-40T2

2、ZJ-D33-SYP30电动型压电陶瓷压片机（压力范围: 0--15T，0-24T，0-30T，0-40T）

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第二表征 铁电材料测量系统及电滞回线测量系统

1、ZT-4C型综合铁电测量系统

2、JKZT-10A铁电材料综合参数测试仪

3、JKGT-G300高温铁电材料测量系统

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第三表征 热电材料分析测量系统及塞贝克系数测试仪

1、BKTEM-Dx热电性能分析系统

2、BKTEM-Dx热电器件性能分析系统

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第四表征 介电材料测试系统

1、 常温介电测量系统，常温介电材料测试仪

2、 高温介电测量系统，高温介电材料测试装置

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第四表征磁性材料测试系统

JKZC-ST4型半导体材料数字式四探针测试仪

关键词：电阻，电阻率，四探针，半导体

    一、产品概述

    JKZC-ST4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。

仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。

仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。

二、符合：

1、符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》

3、符合美国 A.S.T.M 标准

二、产品应用：

1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；

2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻

3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）电阻率/方阻

4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻

5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量

6、可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻

二、基本技术参数

1、  测量范围

     电  阻：1×10-4～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω

   电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

   方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

2、测量方式：自动或手动

3、基本精度：±0.1/%

4、四探针探头：

   (1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调

   (2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可

5. 电源：198V －242V(AC），47.5Hz －63Hz

6、操作环境：  0°C －40°C ，≤90%RH

7、外形尺寸：200mm（长）×220 mm（宽）×100mm（高）

8、数据传输方式；USB

9、软件方式：人性化分析软件界面，数据自动生成 

    

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